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Vishay Siliconix 2N6660JTXV02

Numéro de pièce MFG
2N6660JTXV02
quantité disponible
88620 Pièces
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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2N6660JTXV02 Caractéristiques

Référence fabricant 2N6660JTXV02
Numéro de pièce future FT-2N6660JTXV02
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
2N6660JTXV02 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 990mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-205AD (TO-39)
Paquet / caisse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6660JTXV02 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange 2N6660JTXV02-FT

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