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Référence fabricant | 1SS133M R0G |
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Numéro de pièce future | FT-1SS133M R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1SS133M R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AG, DO-34, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-34 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS133M R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1SS133M R0G-FT |
HER102G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER103G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER104G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER105G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER106G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER107G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER108G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190A R0G
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A54SX16A-1TQ144I
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XC7A75T-3FGG484E
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M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel