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Référence fabricant | 1SS133M R0G |
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Numéro de pièce future | FT-1SS133M R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1SS133M R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AG, DO-34, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-34 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS133M R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1SS133M R0G-FT |
HER102G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER103G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER104G R0G
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HER105G R0G
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HER106G R0G
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HER107G R0G
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HER108G R0G
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MUR160A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR160AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR190A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
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A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
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EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
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XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel