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Référence fabricant | MUR160AHR0G |
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Numéro de pièce future | FT-MUR160AHR0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MUR160AHR0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR160AHR0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUR160AHR0G-FT |
UF1MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF1MHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4001HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UF4002 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel