maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6461US
Référence fabricant | 1N6461US |
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Numéro de pièce future | FT-1N6461US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6461US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V |
Tension - Panne (Min) | 5.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 315A (8/20µs) |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6461US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6461US-FT |
JAN1N6143A
Microsemi Corporation
JAN1N6144A
Microsemi Corporation
JAN1N6145A
Microsemi Corporation
JAN1N6147A
Microsemi Corporation
JAN1N6148A
Microsemi Corporation
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
Microsemi Corporation
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600E-6FG900I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
AGL125V2-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40I3
Intel
5SGSED8K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
LFEC20E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E2SG
Intel
EP2SGX130GF40C5
Intel