maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6152A
Référence fabricant | JAN1N6152A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6152A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6152A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 20.6V |
Tension - Panne (Min) | 25.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 37.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 40.1A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6152A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6152A-FT |
MXRT100KP54CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP54CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58A
Microsemi Corporation
MXRT100KP58AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP58CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP60AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP60CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP60CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP64A
Microsemi Corporation
XC7S50-1FTGB196C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240M
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel
EP4CE30F19A7N
Intel