maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / JAN1N6149A
Référence fabricant | JAN1N6149A |
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Numéro de pièce future | FT-JAN1N6149A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/516 |
JAN1N6149A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15.2V |
Tension - Panne (Min) | 19V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 27.7V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 54.2A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | G, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | C, Axial |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N6149A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N6149A-FT |
MXRT100KP51CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP54A
Microsemi Corporation
MXRT100KP54AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP54CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP54CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58A
Microsemi Corporation
MXRT100KP58AE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP58CA
Microsemi Corporation
MXRT100KP58CAE3
Microsemi Corporation
MXRT100KP60AE3
Microsemi Corporation
A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
A1010B-2PQ100C
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AGLN060V2-VQG100I
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EP4CE22E22C8L
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EP4SGX530KH40C3
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5SGXEA7H3F35I3N
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A40MX02-PLG44
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LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35I3N
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HC20K600BC652
Intel