maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / 1N6119AUS
Référence fabricant | 1N6119AUS |
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Numéro de pièce future | FT-1N6119AUS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6119AUS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 27.4V (Max) |
Tension - Panne (Min) | 34.2V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 49.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 10A |
Puissance - Peak Pulse | 500W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6119AUS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6119AUS-FT |
JAN1N6144A
Microsemi Corporation
JAN1N6145A
Microsemi Corporation
JAN1N6147A
Microsemi Corporation
JAN1N6148A
Microsemi Corporation
JAN1N6149A
Microsemi Corporation
JAN1N6150A
Microsemi Corporation
JAN1N6151A
Microsemi Corporation
JAN1N6152A
Microsemi Corporation
JAN1N6153A
Microsemi Corporation
JAN1N6154A
Microsemi Corporation
XCS10-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23C7
Intel
5SGXEA5K1F40C1N
Intel
5AGZME7H3F35I4N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC3030-100PC84C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S4F45E3LG
Intel
EPF81500AQC240-3N
Intel