maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5711WS-7
Référence fabricant | 1N5711WS-7 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5711WS-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5711WS-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 70V |
Courant - Max | 15mA |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711WS-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5711WS-7-FT |
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC4010XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-FG144I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC4VFX40-10FF672I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29E1HG
Intel