maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / BAR6403WE6327HTSA1
Référence fabricant | BAR6403WE6327HTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BAR6403WE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BAR6403WE6327HTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | PIN - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 150V |
Courant - Max | 100mA |
Capacité @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipation de puissance (max) | 250mW |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOD323-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR6403WE6327HTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAR6403WE6327HTSA1-FT |
MA4L022-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L011-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L021-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4L032-134
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1318
M/A-Com Technology Solutions
MA4E1317
M/A-Com Technology Solutions
MA4AGBLP912
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011008-14120T
M/A-Com Technology Solutions
MADL-011021-14150T
M/A-Com Technology Solutions
MADP-011027-14150T
M/A-Com Technology Solutions
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40C2LN
Intel
EP4SGX530NF45C3N
Intel
XC6VHX380T-3FFG1155C
Xilinx Inc.
A42MX16-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M35E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel