maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5711WS-13
Référence fabricant | 1N5711WS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5711WS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5711WS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 70V |
Courant - Max | 15mA |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711WS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5711WS-13-FT |
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
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BAR6503WE6327HTSA1
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BAT1503WE6327HTSA1
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BA 595 B6327
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BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
XC7K325T-1FBG676I
Xilinx Inc.
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ICE65L04F-TCB132I
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LCMXO2-2000HE-4MG132I
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10AX090U1F45E1SG
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EP1S30F780C6
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