maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / 1N5711WS-13
Référence fabricant | 1N5711WS-13 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5711WS-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5711WS-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - Single |
Tension - Inverse de crête (Max) | 70V |
Courant - Max | 15mA |
Capacité @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | - |
Dissipation de puissance (max) | 150mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711WS-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5711WS-13-FT |
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
XC6SLX45-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG256M
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8LN
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5AGXBA1D4F27I5
Intel
5SGSMD8N1F45I2N
Intel
LFE3-150EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E3F27E2SG
Intel
10AX022E3F27E1HG
Intel