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Référence fabricant | 1N5624-TAP |
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Numéro de pièce future | FT-1N5624-TAP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5624-TAP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Avalanche |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 7.5µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SOD-64, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-64 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5624-TAP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5624-TAP-FT |
LS4151-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4151GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4154GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LS4448GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4148-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS83-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4150GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAQ34-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation