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Référence fabricant | LS4448GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-LS4448GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
LS4448GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 8ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS4448GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LS4448GS18-FT |
VS-HFA16PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30PB120HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH06
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel