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Référence fabricant | LS4448GS08 |
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Numéro de pièce future | FT-LS4448GS08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
LS4448GS08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 8ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25nA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-80 Variant |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-80 QuadroMELF |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS4448GS08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LS4448GS08-FT |
VS-HFA15PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA16PB120HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA25PB60-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA30PB120HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division
30EPH03
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel