Référence fabricant | 1N5419 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5419 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5419 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5419 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5419-FT |
1N5194
Microsemi Corporation
1N5195
Microsemi Corporation
1N5196
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DSB0.2A20
Microsemi Corporation
DSB0.2A40
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DSB0.5A20
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DSB0.5A30
Microsemi Corporation
XC2V1500-4FGG676C
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XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
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AGL600V2-FGG484
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10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel