Référence fabricant | 1N6675 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-1N6675 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6675 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6675 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6675-FT |
JANTX1N3164
Microsemi Corporation
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
JANTX1N1614
Microsemi Corporation
JANTX1N1204AR
Microsemi Corporation
JANTX1N1204A
Microsemi Corporation
JANTX1N1202A
Microsemi Corporation
JANTX1N1190R
Microsemi Corporation
JANTX1N1190
Microsemi Corporation
JANTX1N1184
Microsemi Corporation
JANS1N5617US
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel