Référence fabricant | 1N6676 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6676 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N6676 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 200mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 50pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AH, DO-35, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-35 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6676 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6676-FT |
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation
JANTX1N1614
Microsemi Corporation
JANTX1N1204AR
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JANTX1N1202A
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Microsemi Corporation
JANTX1N1190
Microsemi Corporation
JANTX1N1184
Microsemi Corporation
JANS1N5617US
Microsemi Corporation
JANS1N5418
Microsemi Corporation
XC4010E-2BG225I
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A3P1000L-FG484I
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A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel