Référence fabricant | 1N5416 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5416 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5416 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | B, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5416 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5416-FT |
1N3595US
Microsemi Corporation
MC5616
Microsemi Corporation
MBR20100CTE3/TU
Microsemi Corporation
LX2400ILG
Microsemi Corporation
JANTX1N4248
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JANTXV1N4245
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JANTXV1N4246
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JANTXV1N4247
Microsemi Corporation
JANTX1N4246
Microsemi Corporation
JANTX1N4247
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
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M1A3P250-2VQ100I
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EP3SE260H780I4LN
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XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
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LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
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EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel