Référence fabricant | MC5616 |
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Numéro de pièce future | FT-MC5616 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MC5616 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 3000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 570mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 6V @ 100mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 300ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 3000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | S, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | S, Axial |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MC5616 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MC5616-FT |
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
APT10SCE170B
Microsemi Corporation
APT30SCD120B
Microsemi Corporation
APT60D30BG
Microsemi Corporation
JAN1N6661US
Microsemi Corporation
JANS1N6662US
Microsemi Corporation
JANTX1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6662US
Microsemi Corporation
SDM30004
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel