maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N3595US
Référence fabricant | 1N3595US |
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Numéro de pièce future | FT-1N3595US |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N3595US Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 200mA |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1nA @ 125V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, B |
Package d'appareils du fournisseur | B, SQ-MELF |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3595US Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N3595US-FT |
APT10SCD120B
Microsemi Corporation
APT10SCE120B
Microsemi Corporation
APT10SCE170B
Microsemi Corporation
APT30SCD120B
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APT60D30BG
Microsemi Corporation
JAN1N6661US
Microsemi Corporation
JANS1N6662US
Microsemi Corporation
JANTX1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6661US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6662US
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XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
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AGL400V5-FGG484
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EP3C55F484C8N
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10CL055YU484C8G
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EP4SGX230KF40C3N
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5SGSMD4E3H29I3LN
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
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10AX032E2F29E1HG
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