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Référence fabricant | APT10SCD120B |
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Numéro de pièce future | FT-APT10SCD120B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT10SCD120B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 36A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | 600pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT10SCD120B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT10SCD120B-FT |
PMEG45T15EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T100EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045T150EIPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045V050EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG060V050EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V060ELPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V080ELPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG045V150EPDAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG050V030EPDZ
Nexperia USA Inc.
PMEG100V060ELPDZ
Nexperia USA Inc.
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel