maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N5399-E3/54
Référence fabricant | 1N5399-E3/54 |
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Numéro de pièce future | FT-1N5399-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1N5399-E3/54 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 1.5A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5399-E3/54 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N5399-E3/54-FT |
SS25HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-E3/51T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9HE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel