maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS2H9HE3/52T
Référence fabricant | SS2H9HE3/52T |
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Numéro de pièce future | FT-SS2H9HE3/52T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS2H9HE3/52T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 790mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H9HE3/52T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS2H9HE3/52T-FT |
ESH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel