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Référence fabricant | ESH2C-M3/52T |
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Numéro de pièce future | FT-ESH2C-M3/52T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ESH2C-M3/52T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2C-M3/52T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ESH2C-M3/52T-FT |
SS26HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H9-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation