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Référence fabricant | SS2H10HE3/5BT |
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Numéro de pièce future | FT-SS2H10HE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS2H10HE3/5BT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 790mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS2H10HE3/5BT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS2H10HE3/5BT-FT |
ESH2B-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2C-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
ESH2CHE3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FTG256I
Xilinx Inc.
EP3C5F256C8
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
EP4CGX22BF14C6N
Intel
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F27E3SG
Intel