Référence fabricant | 1N1205 |
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Numéro de pièce future | FT-1N1205 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
1N1205 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1205 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N1205-FT |
JAN1N3671R
Microsemi Corporation
JAN1N5802URS
Microsemi Corporation
JAN1N5804URS
Microsemi Corporation
JAN1N5809URS
Microsemi Corporation
10ETS08FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETS12FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ035
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ040
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
120NQ045R
Vishay Semiconductor Diodes Division
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel