maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N3671R
Référence fabricant | JAN1N3671R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N3671R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/260 |
JAN1N3671R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 38A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA (DO-4) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N3671R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N3671R-FT |
S25J
GeneSiC Semiconductor
S25JR
GeneSiC Semiconductor
S25K
GeneSiC Semiconductor
S25KR
GeneSiC Semiconductor
S25M
GeneSiC Semiconductor
S25MR
GeneSiC Semiconductor
S25Q
GeneSiC Semiconductor
S25QR
GeneSiC Semiconductor
S300B
GeneSiC Semiconductor
S300BR
GeneSiC Semiconductor
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel