Référence fabricant | S25M |
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Numéro de pièce future | FT-S25M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
S25M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 25A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 25A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S25M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | S25M-FT |
MBR80100
GeneSiC Semiconductor
MBR80100R
GeneSiC Semiconductor
MBR8020
GeneSiC Semiconductor
MBR8020R
GeneSiC Semiconductor
MBR8030
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MBR8030R
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MBR8035
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MBR8040
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MBR8040R
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XC6SLX150-3FGG676C
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XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4008E-1PQ208C
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APA750-FG896
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A3P250-PQG208I
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100
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5SGTMC7K3F40C1N
Intel
XC4003E-2PC84I
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LCMXO2-7000HC-4BG332C
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LCMXO2-2000HC-6FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation