maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / JAN1N5802URS
Référence fabricant | JAN1N5802URS |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-JAN1N5802URS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500/477 |
JAN1N5802URS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 875mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 50V |
Capacité @ Vr, F | 25pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SQ-MELF, A |
Package d'appareils du fournisseur | D-5A |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN1N5802URS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | JAN1N5802URS-FT |
S25JR
GeneSiC Semiconductor
S25K
GeneSiC Semiconductor
S25KR
GeneSiC Semiconductor
S25M
GeneSiC Semiconductor
S25MR
GeneSiC Semiconductor
S25Q
GeneSiC Semiconductor
S25QR
GeneSiC Semiconductor
S300B
GeneSiC Semiconductor
S300BR
GeneSiC Semiconductor
S300D
GeneSiC Semiconductor
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel