maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZXMN6A09KQTC
Référence fabricant | ZXMN6A09KQTC |
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Numéro de pièce future | FT-ZXMN6A09KQTC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ZXMN6A09KQTC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1426pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 10.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A09KQTC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMN6A09KQTC-FT |
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated
DMN3730UFB4-7
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DMP22D4UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2500UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2501UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP21D5UFB4-7B
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel