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Diodes Incorporated ZXMN6A09KQTC

Numéro de pièce MFG
ZXMN6A09KQTC
quantité disponible
87870 Pièces
Prix de référence
USD 0.674
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
Automotive, AEC-Q101 MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZXMN6A09KQTC.pdf
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ZXMN6A09KQTC Caractéristiques

Référence fabricant ZXMN6A09KQTC
Numéro de pièce future FT-ZXMN6A09KQTC
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101
ZXMN6A09KQTC Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 11.8A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 30V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 10.1W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-252, (D-Pak)
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN6A09KQTC Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZXMN6A09KQTC-FT

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