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Diodes Incorporated DMN26D0UFB4-7

Name: DMN26D0UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN26D0UFB4-7
Price: 0.054648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (150 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN26D0UFB4-7

quantité disponible: 15670 Pièces

Prix de référence: USD 0.054648

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 20V 230MA DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN26D0UFB4-7.pdf

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DMN26D0UFB4-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN26D0UFB4-7
Numéro de pièce future	FT-DMN26D0UFB4-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN26D0UFB4-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	230mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14.1pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	X2-DFN1006-3
Paquet / caisse	3-XFDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN26D0UFB4-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN26D0UFB4-7-FT

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