maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN61D8L-7
Référence fabricant | DMN61D8L-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DMN61D8L-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN61D8L-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 470mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12.9pF @ 12V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 390mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN61D8L-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN61D8L-7-FT |
DMP3125L-7
Diodes Incorporated
ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
DMN10H700S-13
Diodes Incorporated
ZXMN3B01FTA
Diodes Incorporated
BS870-7-F
Diodes Incorporated
DMN3300U-7
Diodes Incorporated
DMN62D0U-7
Diodes Incorporated
ZVN3310FTA
Diodes Incorporated
DMN24H11DSQ-7
Diodes Incorporated
DMN3051L-7
Diodes Incorporated
XC6SLX45-3FG676C
Xilinx Inc.
XC4005L-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2N
Intel
LFEC1E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C6N
Intel