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Référence fabricant | ZXMN3B04N8TC |
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Numéro de pièce future | FT-ZXMN3B04N8TC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXMN3B04N8TC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2480pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN3B04N8TC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMN3B04N8TC-FT |
DMTH4004SCTB-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099C7ATMA1
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IPB60R120C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
DMG4466SSS-13
Diodes Incorporated
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel