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Infineon Technologies IPB60R099C7ATMA1

Name: IPB60R099C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R099C7ATMA1
Price: 2.429008 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (649 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPB60R099C7ATMA1

quantité disponible: 53030 Pièces

Prix de référence: USD 2.429008

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ C7 MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPB60R099C7ATMA1.pdf

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IPB60R099C7ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPB60R099C7ATMA1
Numéro de pièce future	FT-IPB60R099C7ATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™ C7
IPB60R099C7ATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1819pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO263-3
Paquet / caisse	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB60R099C7ATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPB60R099C7ATMA1-FT

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