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Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TA

Name: ZXMN3A02X8TA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN3A02X8TA
Availability: InStock
Rating: 4.5 (530 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN3A02X8TA

quantité disponible: 39370 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-MSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN3A02X8TA.pdf

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ZXMN3A02X8TA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN3A02X8TA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN3A02X8TA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN3A02X8TA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26.8nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-MSOP
Paquet / caisse	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN3A02X8TA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN3A02X8TA-FT

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