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Diodes Incorporated ZVN3320ASTOA

Numéro de pièce MFG
ZVN3320ASTOA
quantité disponible
69410 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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ZVN3320ASTOA Caractéristiques

Référence fabricant ZVN3320ASTOA
Numéro de pièce future FT-ZVN3320ASTOA
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZVN3320ASTOA Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92-3
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZVN3320ASTOA Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZVN3320ASTOA-FT

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