maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / DMN4800LSSL-13
Référence fabricant | DMN4800LSSL-13 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN4800LSSL-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN4800LSSL-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.46W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4800LSSL-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN4800LSSL-13-FT |
ZXMP10A16KTC
Diodes Incorporated
ZXMP6A18KTC
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DMN10H170SK3Q-13
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DMP4015SK3Q-13
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DMPH3010LK3Q-13
Diodes Incorporated
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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LFE2-20SE-5FN484C
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LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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5CGXFC9E7F35C8N
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