maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZXMN2A03E6TA
Référence fabricant | ZXMN2A03E6TA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ZXMN2A03E6TA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZXMN2A03E6TA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 837pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.1W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-6 |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN2A03E6TA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZXMN2A03E6TA-FT |
IRFL1006
Infineon Technologies
IRFL1006PBF
Infineon Technologies
IRFL1006TR
Infineon Technologies
IRFL110
Vishay Siliconix
IRFL110PBF
Vishay Siliconix
IRFL110TR
Vishay Siliconix
IRFL210
Vishay Siliconix
IRFL210PBF
Vishay Siliconix
IRFL210TR
Vishay Siliconix
IRFL214
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel