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Référence fabricant | IRFL110 |
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Numéro de pièce future | FT-IRFL110 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFL110 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 900mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFL110 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFL110-FT |
ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
DMG6402LDM-7
Diodes Incorporated
DMN3115UDM-7
Diodes Incorporated
DMN3051LDM-7
Diodes Incorporated
DMP2066LDM-7
Diodes Incorporated
DMP2130LDM-7
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DMP2066LDMQ-7
Diodes Incorporated
ZXMP4A57E6TA
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ZXMN6A08E6QTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17E6QTA
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel