maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVP3306ASTOB
Référence fabricant | ZVP3306ASTOB |
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Numéro de pièce future | FT-ZVP3306ASTOB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVP3306ASTOB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 18V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquet / caisse | E-Line-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP3306ASTOB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVP3306ASTOB-FT |
BS108,126
NXP USA Inc.
BS108/01,126
NXP USA Inc.
BS170PSTOA
Diodes Incorporated
BS170PSTOB
Diodes Incorporated
BS170_L34Z
ON Semiconductor
BS250KL-TR1-E3
Vishay Siliconix
BS250PSTOB
Diodes Incorporated
BS250PSTZ
Diodes Incorporated
BSN254,126
NXP USA Inc.
BSN254A,126
NXP USA Inc.
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel