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NXP USA Inc. BS108/01,126

Name: BS108/01,126
Brand: NXP USA Inc.
SKU: BS108/01,126
Availability: InStock
Rating: 4.9 (722 reviews)

Numéro de pièce MFG: BS108/01,126

quantité disponible: 14840 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BS108/01,126.pdf

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BS108/01,126 Caractéristiques

Référence fabricant	BS108/01,126
Numéro de pièce future	FT-BS108/01,126
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
BS108/01,126 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	300mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BS108/01,126 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BS108/01,126-FT

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