maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVP2110GTA
Référence fabricant | ZVP2110GTA |
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Numéro de pièce future | FT-ZVP2110GTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVP2110GTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 310mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 375mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP2110GTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVP2110GTA-FT |
DMN10H170SFG-13
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DMP26M7UFG-7
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DMN10H099SFG-13
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XC4052XL-2HQ304I
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EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
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LCMXO3LF-1300E-5MG121C
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10AX016E4F29E3SG
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