maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVP1320ASTOB
Référence fabricant | ZVP1320ASTOB |
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Numéro de pièce future | FT-ZVP1320ASTOB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVP1320ASTOB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 Ohm @ 50mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | E-Line (TO-92 compatible) |
Paquet / caisse | E-Line-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP1320ASTOB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVP1320ASTOB-FT |
VN0550N3-G-P013
Microchip Technology
VP0550N3-G-P013
Microchip Technology
VP2206N3-G-P003
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ZVP4424A
Diodes Incorporated
VN3205N3-G-P002
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2N7000,126
NXP USA Inc.
2N7000G
ON Semiconductor
2N7008
ON Semiconductor
BS107PSTOA
Diodes Incorporated
BS107PSTOB
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel