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Microchip Technology VP2206N3-G-P003

Name: VP2206N3-G-P003
Brand: Microchip Technology
SKU: VP2206N3-G-P003
Price: 1.236 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (191 reviews)

Numéro de pièce MFG: VP2206N3-G-P003

quantité disponible: 90230 Pièces

Prix de référence: USD 1.236

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microchip Technology

Brève description: - MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: VP2206N3-G-P003.pdf

VP2206N3-G-P003 Caractéristiques

Référence fabricant	VP2206N3-G-P003
Numéro de pièce future	FT-VP2206N3-G-P003
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
VP2206N3-G-P003 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	640mA (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	740mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-92-3
Paquet / caisse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VP2206N3-G-P003 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	VP2206N3-G-P003-FT

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