maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / LND150N3-G
Référence fabricant | LND150N3-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-LND150N3-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
LND150N3-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30mA (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 740mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150N3-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | LND150N3-G-FT |
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
DMP2035UVTQ-13
Diodes Incorporated
DMP6110SVT-13
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-13
Diodes Incorporated
CPH6341-TL-W
ON Semiconductor
DMN2028UVT-7
Diodes Incorporated
DMP2035UVTQ-7
Diodes Incorporated
CPH6444-TL-W
ON Semiconductor
CPH6337-TL-E
ON Semiconductor
CPH6341-M-TL-E
ON Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation