maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVN4306GVTA
Référence fabricant | ZVN4306GVTA |
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Numéro de pièce future | FT-ZVN4306GVTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVN4306GVTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4306GVTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVN4306GVTA-FT |
DMN3027LFG-13
Diodes Incorporated
DMN3027LFG-7
Diodes Incorporated
DMN4008LFG-13
Diodes Incorporated
DMN4010LFG-13
Diodes Incorporated
DMN4010LFG-7
Diodes Incorporated
DMN6013LFG-13
Diodes Incorporated
DMN6013LFG-7
Diodes Incorporated
DMN6069SFG-13
Diodes Incorporated
DMN6069SFG-7
Diodes Incorporated
DMN7022LFG-13
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel