maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / ZVN3310A
Référence fabricant | ZVN3310A |
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Numéro de pièce future | FT-ZVN3310A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ZVN3310A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 625mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN3310A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ZVN3310A-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
CPH6354-TL-W
ON Semiconductor
DMP6110SVT-7
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation