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ZVN3310A Image

Diodes Incorporated ZVN3310A

Numéro de pièce MFG
ZVN3310A
quantité disponible
64610 Pièces
Prix de référence
USD 0.8
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ZVN3310A.pdf
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ZVN3310A Caractéristiques

Référence fabricant ZVN3310A
Numéro de pièce future FT-ZVN3310A
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
ZVN3310A Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 625mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-92-3
Paquet / caisse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZVN3310A Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ZVN3310A-FT

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