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Référence fabricant | IRF5802TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF5802TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF5802TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 88pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Micro6™(TSOP-6) |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5802TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF5802TRPBF-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
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CPH6354-TL-W
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Diodes Incorporated
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SQ3425EV-T1_GE3
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DMN2028UVT-13
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