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Infineon Technologies IRF5802TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRF5802TRPBF
quantité disponible
77340 Pièces
Prix de référence
USD 0.178128
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRF5802TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRF5802TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRF5802TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF5802TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 150V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 900mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 88pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Micro6™(TSOP-6)
Paquet / caisse SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5802TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF5802TRPBF-FT

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