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Référence fabricant | XBS306S17R-G |
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Numéro de pièce future | FT-XBS306S17R-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
XBS306S17R-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 660mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 55ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 195pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XBS306S17R-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | XBS306S17R-G-FT |
1SS187,LF
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TBAS16,LM
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XC2S200E-6PQ208I
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Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
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5SGSMD4E3H29I3N
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5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
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LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
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