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Référence fabricant | 1SS387CT,L3F |
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Numéro de pièce future | FT-1SS387CT,L3F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1SS387CT,L3F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 100mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.6ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacité @ Vr, F | 0.5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-882 |
Package d'appareils du fournisseur | CST2 |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1SS387CT,L3F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1SS387CT,L3F-FT |
EGP30A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30AHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30BHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30C-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30C-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30CHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP30CHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel