maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / WNB10RFET
Référence fabricant | WNB10RFET |
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Numéro de pièce future | FT-WNB10RFET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WNB10RFET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNB10RFET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WNB10RFET-FT |
ERO-S2GHF8201
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF7680
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EP1K50TC144-1
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LFXP3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FG256I
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A54SX72A-FGG256M
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AX250-1FG256
Microsemi Corporation
M1AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR
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5SGXMB5R1F40C1N
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AGL125V2-FG144T
Microsemi Corporation
10AX032E2F27I1SG
Intel