maison / des produits / Résistances / Résistances traversantes / WNB10RFET
Référence fabricant | WNB10RFET |
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Numéro de pièce future | FT-WNB10RFET |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | WN |
WNB10RFET Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 10 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 1W |
Composition | Wirewound |
Caractéristiques | Non-Inductive |
Coéfficent de température | ±50ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.130" Dia x 0.276" L (3.30mm x 7.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Nombre de terminaisons | 2 |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
WNB10RFET Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | WNB10RFET-FT |
ERO-S2GHF8201
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF7680
Panasonic Electronic Components
ERO-S2PHF6652
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ERO-S2PHF5110
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ERO-S2PHF5112
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ERO-S2PHF5761
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ERO-S2PHF5111
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A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel